Impact a High-k Dielectrics Materials on the Semiconductor Devices Performance.
بحثت رسالة ماجستير في كلية هندسة الالكترونيات/ قسم هندسة الالكترونيك للطالبة (يثرب وليد قاسم) يوم الاربعاء المصادف 29/1/2025 (تاثير المواد ذات العزل الكهربائي العالي على أداء أجهزة أشباه الموصلات. )حضر جانبا من المناقشة الاستاذ الدكتور جعفر رمضان مساعد رئيس الجامعه للشؤون العلمية
مع تقدم تقنيات الالكترونيات الحديثة ظهرت العديد من المشاكل في تصغير حجم الدوائر الالكترونية المتكاملة وإحدى اهم هذه المشاكل هي تقليص ابعاد MOSFETو انهيارطبقة العازل عند بوابة الترانزستور وكذلك الزيادة في تيارات التسريب. تهدف الرسالة الحالية اقتراح طريقة لمعالجة هذه المشكلة وذلك من خلال اعتماد تراكيب جديدة للـ MOSFETالقائمة على السيليكون مع مواد عازلة عالية العزل الكهربائي في بواباتها، والتي تعمل بشكل جيد كبدائل لبوابات SiO2التقليدي. حيث تهدف الرسالة الى دراسة تاثير المواد ذات العزل العالي على أداء MOSFET وكذلك تحسين الخصائص الكهربائية لل MOSFET device في تقنيات العقد النانوية المختلفة باستخدام مواد عازلة عالية العزل إضافة الى التعامل مع الهيكل الهندسي لبوابة MOSFET لتقليل مجال التهديب الناتج عن تصغير ابعاد Transistor واستخدام مواد ذات ثابت عزل عالي .
تالفت لجنة المناقشة من
أ.م.د احمد محمد سلامة / جامعة نينوى / كلية هندسة الالكترونيات (رئيساً)
أ.م.د عمر أبراهيم احمد /الجامعة التقنية الشمالية/ الكلية التقنية الهندسية للحاسوب والذكاء الاصطناعي (عضواً)
م.د عمر بدر محمد / جامعة نينوى / كلية هندسة الالكترونيات (عضواً)
أ.د قيس ذنون نجم / جامعة نينوى / كلية هندسة الالكترونيات (عضواً ومشرفاً)
