جرت في كلية هندسة الإلكترونيات بجامعة نينوى، صباح يوم الثلاثاء الموافق 8/9/2026، مناقشة رسالة الماجستير للطالبة نادية خالد مصطفى، والموسومة:
“Simulation-Based Investigation of Channel Parameters Effects on RF Performance in DG MOSFET”
“دراسة محاكاة لتأثير معاملات القناة في أداء ترانزستور DG-MOSFET ضمن تطبيقات الترددات الراديوية”
وهدفت الرسالة إلى دراسة وتطوير تقنيات أشباه الموصلات المتقدمة ذات الأبعاد النانومترية لتحقيق كفاءة تشغيلية عالية واستهلاك منخفض للطاقة في تطبيقات الترددات الراديوية (RF).
وتضمنت الرسالة دراسة محاكاة هندسية وتحليلية باستخدام برنامج Silvaco TCAD لتحسين أداء ترانزستورات MOSFET، من خلال توظيف المواد الفيروكهربائية (Ferroelectric) وبنى البوابات المزدوجة DG-MOSFET، بهدف التغلب على تأثيرات القناة القصيرة (SCEs) وتحسين الخصائص الكهربائية والتشغيلية للأجهزة.
كما تناولت الدراسة تأثير سمك عازل البوابة والمادة الفيروكهربائية Si:HfO₂ في الخصائص الكهربائية المستمرة (DC) والمتناوبة (AC)، بهدف تقليل تيارات التسريب وتحسين سرعة التشغيل والإطفاء (Ion/Ioff) وجهد العتبة (Vth)، فضلاً عن رفع تردد القطع (fT) وموصلية النقل (gm)، بما يسهم في تحسين كفاءة الأجهزة العاملة ضمن نطاق الترددات الراديوية.
كما تضمنت الدراسة مقارنة الأداء بين هيكلية البوابة الأحادية SG-MOSFET والبوابة المزدوجة DG-MOSFET لتحديد التصميم الأمثل للأجهزة ذات الأبعاد النانومترية.
وتألفت لجنة المناقشة من:
أ.د. خالد خليل محمد — رئيساً.
أ.م.د. حارث أحمد محمد — عضواً.
أ.م.د. صفوان حفيظ يونس — عضواً.
أ.د. قيس ذنون نجم — عضواً ومشرفاً.
وتأتي هذه المناقشة في إطار اهتمام كلية هندسة الإلكترونيات بجامعة نينوى بتطوير البحث العلمي في مجالات الإلكترونيات النانوية وأشباه الموصلات وتقنيات الترددات الراديوية، ودعم الدراسات الهندسية التي تسهم في مواكبة التطورات الحديثة في تقنيات الأجهزة الإلكترونية.
