بحثت رسالة ماجستير في كلية هندسة الالكترونيات/ قسم هندسة الالكترونيك للطالبة (يثرب وليد قاسم) يوم الأربعاء الموافق ٢٠٢٥/١/٢٩ (تاثير المواد ذات العزل الكهربائي العالي على أداء أجهزة أشباه الموصلات )
Impact a High-k Dielectrics Materials on the Semiconductor Devices Performance.
حضر جانبا من المناقشة مساعد رئيس الجامعة للشؤون العلمية أ.د.جعفر رمضان محمد.
تناولت الرسالة تقليص ابعاد MOSFET وإنهيار طبقة العازل عند بوابة الترانزستور ، وكذلك الزيادة في تيارات التسريب.
إقترحت الرسالة طريقة لمعالجة هذه المشكلة وذلك من خلال إعتماد تراكيب جديدة للـ MOSFET القائمة على السيليكون مع مواد عازلة عالية العزل الكهربائي في بواباتها ، والتي تعمل بشكل جيد كبدائل لبوابات SiO2 التقليدي.
تهدف الرسالة إلى دراسة تأثير المواد ذات العزل العالي على أداء MOSFET وكذلك تحسين الخصائص الكهربائية لل MOSFET device في تقنيات العقد النانوية المختلفة بإستخدام مواد عازلة عالية العزل إضافة إلى التعامل مع الهيكل الهندسي لبوابة MOSFET لتقليل مجال التهديب الناتج عن تصغير أبعاد Transistor وإستخدام مواد ذات ثابت عزل عالي.
تالفت لجنة المناقشة كل من :-
١- أ.م.د. احمد محمد سلامة / جامعة نينوى / كلية هندسة الالكترونيات (رئيساً).
٢- أ.م.د. عمر أبراهيم احمد /الجامعة التقنية الشمالية/ الكلية التقنية الهندسية للحاسوب والذكاء الاصطناعي (عضواً).
٣- م.د. عمر بدر محمد / جامعة نينوى / كلية هندسة الالكترونيات (عضواً).
٤- أ.د. قيس ذنون نجم / جامعة نينوى / كلية هندسة الالكترونيات (عضواً ومشرفاً)
