بحثت رسالة الماجستير في جامعة نينوى / كلية هندسة الألكترونيات / قسم هندسة الألكترونيك ، يوم الخميس الموافق 28/8/2025 للطالب (أيمن قيس عبدالقادر اليوزبكي) (التأثيرات المادية والبنيوية للطبقات المدفونة على مواصفات ترانزستور تأثير المجال للأكاسيد المعدنية لأشباه الموصلات)
(Material and Structural Effects of Buried Layers on MOSFET Dynamics)
تناولت هذه الرسالة البحثية دراسة ومعالجة أبرز المشاكل التي تواجه ترانزستورات النانو MOSFET، والتي تشمل زيادة تيار التسرب (Leakage Current)، وإنخفاض جهد الإنهيار (Breakdown Voltage) ، بالإضافة إلى إنخفاض الحاجز المستحث (Drain-Induced Barrier Lowering – DIBL) ، وهي عوامل تؤثر سلبًا على أداء الجهاز عند الأبعاد النانوية. لمعالجة هذه التحديات، أقترح العمل الحالي زراعة طبقة مدفونة (Buried Layer) في ركيزة الـ MOSFET مباشرة، بحيث تعمل هذه الطبقة كحاجز كهربائي إضافي يساهم في تحسين الخصائص الكهربائية وتقليل التأثيرات السلبية المذكورة أعلاه.
وقد تم في هذا البحث دراسة نوعين مختلفين من المواد كطبقة مدفونة، الأولى ذات ثابت عزل منخفض (Low-k) وهي “₂SiO”، والثانية ذات ثابت عزل مرتفع (High-k) وهي “₂HfO”، بحيث تم تحليل تأثير كل منهما بشكل منفصل على أداء الترانزستور.
يهدف البحث إلى تقييم الأداء الكهربائي لـترانزستور الــ MOSFETعند إستخدام مواد مختلفة للطبقة المدفونة، مع دراسة شاملة لمدى تأثير نوع المادة و سمك الطبقة و موقعها داخل البنية على خصائص الترانزستور. كما تم السعي للوصول إلى علاقة رياضية “نموذج إرتباط” يربط هذه العوامل الثلاثة مع الإستجابة الكهربائية للترانزستور، مما يوفر أساسًا علميًا لإختيار البنية المثلى لتحقيق أفضل أداء ممكن لترانزستورات MOSFET في تقنيات النانو.
تألفت لجنة المناقشة من :-
1- أ.د خالد خليل محمد / جامعة نينوى / كلية هندسة الالكترونيات (رئيساً).
2- أ.م.د احمد محمد احمد / جامعة نينوى / كلية هندسة الالكترونيات (عضواً).
3- أ.م.د عمر بدر محمد / جامعة نينوى / كلية هندسة الالكترونيات (عضواً).
4- أ.د قيس ذنون نجم / جامعة نينوى / كلية هندسة الالكترونيات (عضواً ومشرفاً).
تمنياتنا للباحث وللجنة المناقشة الموفقية والنجاح.
