شارك عميد كلية هندسة الالكترونيات الأستاذ الدكتور خالد خليل محمد، بصفته عضوا ومشرفا ضمن لجنة مناقشة إطروحة دكتوراه في جامعة الموصل ، كما شارك التدريسي في كلية هندسة الالكترونيات أ.د. احمد ذنون يونس ، بصفته عضوا في اللجنة ذاتها.
تناولت إطروحة الدكتوراه للباحثة مروة عز الدين مرزا تصميم ومحاكاة ترانزستور نوع GaN HEMT للتطبيقات ذات الكفاءة والسرعة العالية..Design and Simulation of GaN HEMT Device for High Efficiency and Speed Applications في هذا العمل ، تم إستخدام العديد من هياكل المعالجة لتحسين إمكانية إستخدام أجهزة GaN HEMT في كل من تطبيقات الترددات اللاسلكية وتطبيقات الطاقة الإلكترونية، بالنسبة لأجهزة التردد اللاسلكي، فإن ركيزة الجهاز التي يمكن إستخدامها هي كربيد السيليكون (SiC) أو GaN الذي يحافظ على إنخفاض الخسارة ويحافظ على برودة الجهاز. يمكننا توفير مساحة أكبر بين البوابة وصرف الجهاز، كما يتم إستخدام لوحات المجال لتعزيز الجهد الكهربي للجهاز.
أظهرت النتائج قدرة ممتازة على تحسين GaN HEMT لتطبيقات الطاقة بإستخدام FP دون زيادة أبعاد الجهاز المصمم ،كما بينت النتائج النهائية أن Class-J PA المقترح أفضل وأكثر ملائمة لتطبيق 5G لنطاق 6 جيجا هرتز (أي شبكات الاتصالات اللاسلكية). أيضًا، يمكن إستخدام Class-J PA المصمم في معايير IEEE802.11 بمساحة تغطية واسعة بسبب خطيته الممتازة، والتي تلبي متطلبات هذا المعيار.
إستمعت اللجنة لدفوع الباحثة عن إطروحتها ، ومنحها درجة الدكتوراه بعد إجراء بعض التعديلات عليها ، متمنين للباحثة ولتدريسيي جامعتنا مزيد من العطاء والتقدم.
